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激光隐形切割是激光切割晶片的一种方案，很好地避免了砂轮雕刻的问题。如图1所示，激光隐身切割将脉冲激光的单脉冲通过光学成型，通过材料表面聚焦于材料内部，聚焦区域能量密度高，形成多光子吸收非线性吸收效应，导致材料变形出现裂纹。各激光脉冲等距作用可以形成等距损伤，在材料内部形成变质层。在变质层中，材料的分子结合被破坏，材料的连接减弱，容易分离。切割完成后，通过拉伸轴承膜完全分离产品，并在芯片和芯片之间形成间隙。这种加工方式避免了机器的直接接触和纯净水现象造成的破坏。目前，激光隐身切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅及多种化合物半导体晶圆。

近年来光电产业的快速发展，高集成度和高性能的半导体晶圆需求不断增长，硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃以及磷化铟等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。随着晶圆集成度大幅提高，晶圆趋向于轻薄化，传统的很多加工方式已经不再适用，于是在部分工序引入了激光隐形切割技术。半导体晶圆的激光隐形切割技术是一种全新的激光切割工艺，具有切割速度快、切割不产生粉尘、无切割基材耗损、所需切割道小、完全干制程等诸多优势。隐切切割主要原理是将短脉冲激光光束透过材料表面聚焦在材料中间，在材料中间形成改质层，然后通过外部施加压力使芯片分开。**快激光玻璃晶圆切割设备的价格更优惠。

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